ペロブスカイト電池レーザエッチングスクライブ装置-グローバルベンダー

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武漢市東湖技術開発区黄龍山東路5号豊聯管業5号工場棟

ペロブスカイト電池レーザエッチングスクライブ装置

導電性銀ペースト、ITO、FTO、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ニッケル、トナー、金、銀、銅、アルミニウムなどの導電性金属、グラフェン、カーボンナノチューブ、酸化物、ペロブスカイト電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO 2、C 60、PCBMなどのペロブスカイト電池

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製品の詳細

必要に応じて加工部分全体をグローブボックス内に入れることができる

シーン別のニーズに応じて、ナノ秒パルス幅の赤外光ファイバ（1064nm)、緑光（532nm）バンド光源、ピコ秒パルス幅の赤外光ファイバ（1064nm)、緑光（532nm)、紫外線（355nm）バンド光源、フェムト秒パルス幅の赤外光ファイバ（1030nm)、緑光（515nm）バンド光源は微細レーザーエッチング、スクライブ、構造除去、スクライブ、表面リフトオフなどの応用を行う。

柔軟性PET/PI/PEN/ガラスなどの基材上のペロブスカイト太陽電池レーザーエッチングスクライブ応用。

ガラス、PET、PI、PNTなどの基板上の薄膜材料のレーザーエッチングは、タッチスクリーン、光起電太陽電池、電気から色ガラスなどの業界に応用されている。

導電性銀ペースト、ITO、FTO、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ニッケル、トナー、金、銀、銅、アルミニウムなどの導電性金属、グラフェン、カーボンナノチューブ、酸化物、ペロブスカイト電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等の材料処理を行う。特にペロブスカイト電池分野の陰極、ペロブスカイト正孔輸送層、バリア層、カルシウムチタン鉱層、陽極レーザエッチングスクライブ技術に対して独自の技術優位性がある。

独自開発の制御ソフトウェアを採用し、直接導入CADデータ＃データ＃CCDカメラの位置決めは自動レーザーエッチングで、操作が簡単で、便利で迅速である;ソフトウェアを通じて振動鏡と直線モータ、電動昇降テーブルをリアルタイムに調整する設計を採用し、真空吸着パレット装置を加えることで、レーザーエッチング加工運転中の平穏性を効果的に解決することができる。

設備はデジタル制御技術、レーザー技術、ソフトウェア技術などの光機電高技術を一体に集め、高霊的活性、高精度、高速度などの先進的な製造技術の特徴を持っている。広範囲にわたって各種パターン、各種寸法の精密、高速エッチングを行うことができ、しかも高い生産能力を保証することができ、信頼性、安定性と高性能価格比を持つ製品である。

主な構成：レーザー、光路システム、運動制御システム、電気制御システム、位置決めシステム、集塵システム、真吸着空システム、大理石竜門構造、板金構造部品など。

モデル	ナノ秒赤外線 ET650MIR		ナノ秒緑光ET200MG		ピコ秒緑光/紫外線 ET300MPS	フェムト秒赤外線 ET300IRFS			実験室用エッチングマシン ET200MIR
レーザ	1064nm		532nm		532/355nm	1030nm			1064nm
波長/しゅつりょく	20/30W		5/10W		10/15/30W	20W			20W
加工寸法	100100/200200/300300/400300/600600/600900/700*1400mmオプションカスタム加工可能なマグニチュード								110110/140140/ 200*200mmオプション
レーザ周波数	1-2000KHz		30-150KHz		1-1000KHz	25-5000KHz			1-2000KHz
しんどうきょう	10/14mmスルーホール径								10mmスルーホール径
フォーカシングミラー	4040/7070/110*110mmマグニチュード（適用シーンに応じて選択）								100-200mmオプション
ビーム拡大鏡	2X		8X/10X						1.5X
フォーカススポット	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
最小線幅	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
	必要に応じてメッキ材料をすべて除去することができます。P4クリーンエッジ処理
最小線間隔	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
マシン全体の精度	±15μm								/
適用タイプ	可撓性基材及びガラス基材の表面材料処理に両立可能
Z軸モータストローク	50mm（自動ソフトウェア制御）								手動500mm
テーブル位置決め精度	±3μm								/
テーブル繰返し精度	±1μm								/
CCDカメラの位置決め精度	±3μm								/
エッチング速度	さいだいエッチングそくど4000mm/s（単線）
デバイスサイズ/じゅうりょう	120012001700mm（200200mmマグニチュード内）約1000Kg大型及び2光路 155014501750mm（600600mmマグニチュード内）約1800Kg電話で連絡する							10507001660mm（LWH）約300Kg
設備消費電力	＜2500W			＜3000W				＜1500W
デバイスファイルフォーマット	標準CAD DXFファイル							DXF/PLT/JPGなど
比較	使用＃シヨウ＃P1導電層ITO/FTO単層材料処理、部分材料彫刻処理多層、特に清辺処理に速度優位性がある	ナノ秒赤外線に比べてP1/P2/P3/ P4エッチングスクライブ、対応可能ITO/FTO、ペロブスカイト機能層、金属/カーボン電極層をエッチングするスクライブ		ナノ秒赤外線に比べてP1/P2/P3/ P4エッチングスクライブ、対応可能ITO/FTO、ペロブスカイト機能層、金属/炭素電極層をエッチングスクライブする。優位性はエッチング下の層の上の層への損傷が小さく、エッチングエッジの影響が小さく、火口が小さい			ピコ秒パルス幅帯域と似ており、異なるシーンに応じて選択する	単層材料エッチングのみに対応でき、必要に応じて小型化製品の幅をカスタマイズすることができる100-200mm
備考：量産後は一般的に多種の波長帯レーザーを用いて併用し、単一の機械ではなくすべての膜層の製作を完成する。

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